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石墨爐檢測(cè)升溫程序的四個(gè)主要步驟：
1）干燥
樣品注入到石墨管后，升溫至溶劑的沸點(diǎn)附近（略低于沸點(diǎn)通常為 90－ 110 ℃ ），分段蒸發(fā)，烘干于石墨管壁（或平臺(tái)）表面呈薄膜狀。 注意：在干燥階段要讓樣品得以充分干燥而又不損失。
2）原子化
在高溫下固體薄膜分解、蒸發(fā)，形成自由原子云。
原子化溫度的選擇原則： 選用能夠達(dá)到吸收信號(hào)的溫度作為原子化溫度，這樣可以延長(zhǎng)石墨管的使用壽命。原子化溫度通常在900—2700 ℃。
原子化溫度的優(yōu)化：必須進(jìn)行人工或自動(dòng)優(yōu)化，峰型的優(yōu)劣跟結(jié)果的準(zhǔn)確性密切相關(guān)。
注意原子化階段保護(hù)氣的使用問題：在原子化階段 — 應(yīng)停止通氣，避免對(duì)原子蒸氣的稀釋；縮短保持時(shí)間 — 為此階段停氣，盡量用短的保持時(shí)間,以延長(zhǎng)石墨管的使用壽命。
3）灰化
灰化的作用： 除去基體中的局外組分。灰化階段參數(shù)設(shè)置：參數(shù)設(shè)置是否合理，對(duì)能否得到分析信號(hào)的好精度，至關(guān)重要。
參數(shù)優(yōu)化：對(duì)不同特性的樣品，需要用不同時(shí)間及溫度測(cè)試來確定參數(shù)。
4）除殘
為了消除殘留物產(chǎn)生的記憶效應(yīng)，除殘溫度應(yīng)高于原子化溫度100-1000℃。
新管空燒：一些石墨管材料的純度不夠，空白值較高。通常進(jìn)行空燒，空燒溫度比原子化溫度要高。
